order_bg

produk

Litar Bersepadu Cip Tempat Inventori XC7K160T-1FBG676I Asal Baharu

Penerangan Ringkas:


Butiran Produk

Tag Produk

Atribut Produk

JENIS PENERANGAN
kategori Litar Bersepadu (IC)

Terbenam

FPGAs (Field Programmable Gate Array)

Mfr AMD Xilinx
Siri Kintex®-7
Pakej Dulang
Status Produk Aktif
Bilangan LAB/CLB 12675
Bilangan Elemen/Sel Logik 162240
Jumlah Bit RAM 11980800
Bilangan I/O 400
Voltan – Bekalan 0.97V ~ 1.03V
Jenis Pemasangan Lekapan Permukaan
Suhu Operasi -40°C ~ 100°C (TJ)
Pakej / Kes 676-BBGA, FCBGA
Pakej Peranti Pembekal 676-FCBGA (27×27)
Nombor Produk Asas XC7K160

Laporkan Ralat Maklumat Produk

Lihat Serupa

Dokumen & Media

JENIS SUMBER PAUTAN
Helaian data Lembaran Data FPGA Kintex-7

Gambaran Keseluruhan FPGA Siri 7

Ringkas FPGA Kintex-7

Modul Latihan Produk Memperkasakan FPGA Xilinx Siri 7 dengan Penyelesaian Pengurusan Kuasa TI
Maklumat Alam Sekitar Sijil RoHS Xiliinx

Sijil Xilinx REACH211

Produk yang diketengahkan Siri TE0741 dengan Xilinx Kintex®-7
Reka Bentuk/Spesifikasi PCN Notis Bebas Plumbum Rentas Kapal 31/Okt/2016

Bahan Mult Dev Chg 16/Dis/2019

Lembaran Data HTML Ringkas FPGA Kintex-7

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

Atribut PENERANGAN
Status RoHS Mematuhi ROHS3
Tahap Kepekaan Kelembapan (MSL) 4 (72 Jam)
Status REACH REACH Tidak terjejas
ECCN 3A991D
HTSUS 8542.39.0001

Litar bersepadu

Litar bersepadu atau litar bersepadu monolitik (juga dirujuk sebagai IC, cip atau mikrocip) ialah satu setlitar elektronikpada satu kepingan kecil (atau "cip") daripadasemikonduktorbahan, biasanyasilikon.Bilangan besardaripada kecilMOSFET(logam–oksida–semikonduktortransistor kesan medan) sepadukan ke dalam cip kecil.Ini menyebabkan litar yang tertib magnitud lebih kecil, lebih pantas dan lebih murah daripada litar yang dibina daripada diskret.komponen elektronik.IC itupengeluaran besar-besarankeupayaan, kebolehpercayaan, dan pendekatan blok binaan untukreka bentuk litar bersepadutelah memastikan penggunaan pantas IC piawai sebagai ganti reka bentuk menggunakan diskrettransistor.IC kini digunakan dalam hampir semua peralatan elektronik dan telah merevolusikan duniaelektronik.Komputer,telefon bimbitdan lain-lainperalatan rumahkini merupakan bahagian yang tidak dapat dipisahkan daripada struktur masyarakat moden, dimungkinkan oleh saiz kecil dan kos rendah IC seperti modenpemproses komputerdanmikropengawal.

Penyepaduan berskala sangat besartelah dibuat praktikal oleh kemajuan teknologi dalamlogam–oksida–silikon(MOS)fabrikasi peranti semikonduktor.Sejak asalnya pada tahun 1960-an, saiz, kelajuan dan kapasiti cip telah berkembang dengan pesat, didorong oleh kemajuan teknikal yang sesuai dengan lebih banyak transistor MOS pada cip yang sama saiz - cip moden mungkin mempunyai berbilion-bilion transistor MOS dalam luas sebesar kuku manusia.Kemajuan ini, kira-kira mengikutiundang-undang Moore, menjadikan cip komputer hari ini memiliki kapasiti berjuta-juta kali ganda dan beribu kali ganda kelajuan cip komputer pada awal 1970-an.

IC mempunyai dua kelebihan utama berbandinglitar diskret: kos dan prestasi.Kosnya rendah kerana cip, dengan semua komponennya, dicetak sebagai satu unit olehfotolitografidaripada dibina satu transistor pada satu masa.Tambahan pula, IC berpakej menggunakan bahan yang lebih sedikit daripada litar diskret.Prestasi adalah tinggi kerana komponen IC bertukar dengan cepat dan menggunakan kuasa yang agak sedikit kerana saiz dan kedekatannya yang kecil.Kelemahan utama IC ialah kos yang tinggi untuk mereka bentuk dan membuat reka bentuk yang diperlukantopeng foto.Kos permulaan yang tinggi ini bermakna IC hanya berdaya maju secara komersial apabilavolum pengeluaran yang tinggidijangkakan.

Terminologi[edit]

Anlitar bersepaduditakrifkan sebagai:[1]

Litar di mana semua atau beberapa elemen litar berkait rapat dan bersambung secara elektrik supaya ia dianggap tidak boleh dibahagikan untuk tujuan pembinaan dan perdagangan.

Litar yang memenuhi definisi ini boleh dibina menggunakan banyak teknologi yang berbeza, termasuktransistor filem nipis,teknologi filem tebal, ataulitar bersepadu hibrid.Walau bagaimanapun, dalam penggunaan umumlitar bersepadutelah merujuk kepada pembinaan litar keping tunggal yang asalnya dikenali sebagai alitar bersepadu monolitik, selalunya dibina di atas sekeping silikon.[2][3]

Sejarah

Percubaan awal untuk menggabungkan beberapa komponen dalam satu peranti (seperti IC moden) ialahLoewe 3NFtiub vakum dari tahun 1920-an.Tidak seperti IC, ia direka dengan tujuanpengelakan cukai, seperti di Jerman, penerima radio mempunyai cukai yang dikenakan bergantung pada bilangan pemegang tiub yang dimiliki oleh penerima radio.Ia membenarkan penerima radio mempunyai pemegang tiub tunggal.

Konsep awal litar bersepadu kembali ke tahun 1949, apabila jurutera JermanWerner Jacobi[4](Siemens AG)[5]memfailkan paten untuk peranti penguat semikonduktor seperti litar bersepadu[6]menunjukkan limatransistorpada substrat biasa dalam tiga peringkatpenguatsusunan.Jacobi mendedahkan kecil dan murahalat pendengaransebagai aplikasi perindustrian biasa patennya.Penggunaan komersil serta-merta patennya belum dilaporkan.

Satu lagi penyokong awal konsep itu ialahGeoffrey Dummer(1909–2002), seorang saintis radar yang bekerja untukPenubuhan Radar Dirajadaripada pihak BritishKementerian Pertahanan.Dummer menyampaikan idea tersebut kepada orang ramai di Simposium Kemajuan dalam Komponen Elektronik Berkualiti diWashington DCpada 7 Mei 1952.[7]Beliau memberikan banyak simposium secara terbuka untuk menyebarkan ideanya dan tidak berjaya cuba membina litar sedemikian pada tahun 1956. Antara 1953 dan 1957,Sidney Darlingtondan Yasuo Tarui (Makmal Elektroteknikal) mencadangkan reka bentuk cip serupa di mana beberapa transistor boleh berkongsi kawasan aktif yang sama, tetapi tidak adapengasingan elektrikuntuk memisahkan mereka antara satu sama lain.[4]

Cip litar bersepadu monolitik telah didayakan oleh ciptaanproses planarolehJean Hoernidanpengasingan simpang p–nolehKurt Lehovec.Ciptaan Hoerni dibina di atasMohamed M. Atallakerja kepasifan permukaan, serta kerja Fuller dan Ditzenberger mengenai penyebaran bendasing boron dan fosforus ke dalam silikon,Carl Froschdan kerja Lincoln Derick mengenai perlindungan permukaan, danChih-Tang Sah's kerja pada resapan pelekat oleh oksida.[8]


  • Sebelumnya:
  • Seterusnya:

  • Tulis mesej anda di sini dan hantarkan kepada kami