AQX IRF7416TRPBF Cip ic Litar bersepadu baharu dan asli IRF7416TRPBF
Atribut Produk
| JENIS | PENERANGAN |
| kategori | Produk Semikonduktor Diskret |
| Mfr | Teknologi Infineon |
| Siri | HEXFET® |
| Pakej | Pita & Kekili (TR) Pita Potong (CT) Digi-Reel® |
| Status Produk | Aktif |
| Jenis FET | Saluran P |
| Teknologi | MOSFET (Metal Oksida) |
| Longkang ke Voltan Sumber (Vdss) | 30 V |
| Arus – Longkang Berterusan (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Maks) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 5.6A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 1V @ 250µA |
| Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 92 nC @ 10 V |
| Vgs (Maks) | ±20V |
| Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 1700 pF @ 25 V |
| Ciri FET | - |
| Pelesapan Kuasa (Maks) | 2.5W (Ta) |
| Suhu Operasi | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Jenis Pemasangan | Lekapan Permukaan |
| Pakej Peranti Pembekal | 8-JADI |
| Pakej / Kes | 8-SOIC (0.154″, 3.90mm Lebar) |
| Nombor Produk Asas | IRF7416 |
Dokumen & Media
| JENIS SUMBER | PAUTAN |
| Helaian data | IRF7416PbF |
| Dokumen Berkaitan Lain | Sistem Penomboran Bahagian IR |
| Modul Latihan Produk | Litar Bersepadu Voltan Tinggi (Pemacu Pintu HVIC) |
| Produk yang diketengahkan | Sistem Pemprosesan Data |
| Lembaran Data HTML | IRF7416PbF |
| Model EDA | IRF7416TRPBF oleh Pustakawan Ultra |
| Model Simulasi | Model Saber IRF7416PBF |
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
| Atribut | PENERANGAN |
| Status RoHS | Mematuhi ROHS3 |
| Tahap Kepekaan Kelembapan (MSL) | 1 (Tidak terhad) |
| Status REACH | REACH Tidak terjejas |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Sumber tambahan
| Atribut | PENERANGAN |
| Nama lain | IRF7416TRPBFDKR SP001554262 IRF7416TRPBFCT IRF7416TRPBF-ND IRF7416TRPBFTR |
| Pakej Standard | 4,000 |
IRF7416
Faedah
Struktur sel planar untuk SOA lebar
Dioptimumkan untuk ketersediaan meluas daripada rakan kongsi pengedaran
Kelayakan produk mengikut piawaian JEDEC
Silikon dioptimumkan untuk menukar aplikasi di bawah <100KHz
Pakej kuasa lekap permukaan standard industri
Mampu dipateri gelombang
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET dalam pakej SO-8
Faedah
Mematuhi RoHS
RDS rendah (dihidupkan)
Kualiti peneraju industri
Penilaian dv/dt dinamik
Penukaran Pantas
Penilaian Avalanche Sepenuhnya
175°C Suhu Operasi
MOSFET Saluran P
Transistor
Transistor ialah aperanti semikonduktorpernahmenguatkanatausuisisyarat elektrik dankuasa.Transistor adalah salah satu blok binaan asas modenelektronik.[1]Ia terdiri daripadabahan semikonduktor, biasanya dengan sekurang-kurangnya tigaterminaluntuk sambungan ke litar elektronik.Avoltanatausemasadigunakan pada sepasang terminal transistor mengawal arus melalui sepasang terminal lain.Kerana kuasa terkawal (output) boleh lebih tinggi daripada kuasa kawalan (input), transistor boleh menguatkan isyarat.Sesetengah transistor dibungkus secara individu, tetapi lebih banyak lagi terdapat di dalamnyalitar bersepadu.
Austria-Hungary ahli fizik Julius Edgar Lilienfeldmencadangkan konsep atransistor kesan medanpada tahun 1926, tetapi tidak mungkin untuk benar-benar membina peranti yang berfungsi pada masa itu.[2]Peranti kerja pertama yang dibina ialah atransistor titik-sentuhdicipta pada tahun 1947 oleh ahli fizik AmerikaJohn BardeendanWalter Brattainsemasa bekerja di bawahWilliam ShockleydiMakmal Loceng.Ketiganya berkongsi tahun 1956Hadiah Nobel dalam Fizikuntuk pencapaian mereka.[3]Jenis transistor yang paling banyak digunakan ialahtransistor kesan medan logam–oksida–separa konduktor(MOSFET), yang telah dicipta olehMohamed AtalladanDawon Kahngdi Bell Labs pada tahun 1959.[4][5][6]Transistor merevolusikan bidang elektronik, dan membuka jalan kepada yang lebih kecil dan lebih murahradio,kalkulator, dankomputer, antara lain.
Kebanyakan transistor diperbuat daripada sangat tulensilikon, dan beberapa daripadagermanium, tetapi bahan semikonduktor tertentu yang lain kadangkala digunakan.Transistor mungkin hanya mempunyai satu jenis pembawa cas, dalam transistor kesan medan, atau mungkin mempunyai dua jenis pembawa cas dalamtransistor simpang bipolarperanti.Berbanding dengantiub vakum, transistor secara amnya lebih kecil dan memerlukan kurang kuasa untuk beroperasi.Tiub vakum tertentu mempunyai kelebihan berbanding transistor pada frekuensi operasi yang sangat tinggi atau voltan operasi yang tinggi.Banyak jenis transistor dibuat mengikut spesifikasi piawai oleh pelbagai pengeluar.
