Analisis kegagalan cip IC

analisis kegagalan cip IC,IClitar bersepadu cip tidak dapat mengelakkan kegagalan dalam proses pembangunan, pengeluaran dan penggunaan.Dengan peningkatan keperluan orang ramai untuk kualiti dan kebolehpercayaan produk, kerja analisis kegagalan menjadi semakin penting.Melalui analisis kegagalan cip, cip IC pereka bentuk boleh menemui kecacatan dalam reka bentuk, ketidakkonsistenan dalam parameter teknikal, reka bentuk dan operasi yang tidak betul, dll. Kepentingan analisis kegagalan terutamanya ditunjukkan dalam:

Secara terperinci, kepentingan utamaICanalisis kegagalan cip ditunjukkan dalam aspek berikut:

1. Analisis kegagalan adalah cara dan kaedah penting untuk menentukan mekanisme kegagalan cip IC.

2. Analisis kerosakan menyediakan maklumat yang diperlukan untuk diagnosis kerosakan yang berkesan.

3. Analisis kegagalan menyediakan jurutera reka bentuk dengan penambahbaikan berterusan dan penambahbaikan reka bentuk cip untuk memenuhi keperluan spesifikasi reka bentuk.

4. Analisis kegagalan boleh menilai keberkesanan pendekatan ujian yang berbeza, menyediakan tambahan yang diperlukan untuk ujian pengeluaran, dan menyediakan maklumat yang diperlukan untuk pengoptimuman dan pengesahan proses ujian.

Langkah-langkah utama dan kandungan analisis kegagalan:

◆Pembukaan litar bersepadu: Semasa mengeluarkan litar bersepadu, kekalkan integriti fungsi cip, kekalkan acuan, pad ikatan, wayar ikatan dan juga rangka plumbum, dan sediakan untuk eksperimen analisis ketidaksahihan cip seterusnya.

◆Cermin pengimbasan SEM/Analisis komposisi EDX: analisis struktur bahan/pemerhatian kecacatan, analisis kawasan mikro konvensional bagi komposisi unsur, pengukuran saiz komposisi yang betul, dsb.

◆Ujian probe: Isyarat elektrik di dalamICboleh diperolehi dengan cepat dan mudah melalui kuar mikro.Laser: Mikro-laser digunakan untuk memotong kawasan khusus atas cip atau wayar.

◆Pengesanan EMMI: Mikroskop cahaya rendah EMMI ialah alat analisis kerosakan berkecekapan tinggi, yang menyediakan kaedah lokasi kerosakan dengan kepekaan tinggi dan tidak merosakkan.Ia boleh mengesan dan menyetempatkan luminescence yang sangat lemah (kelihatan dan inframerah dekat) dan menangkap arus kebocoran yang disebabkan oleh kecacatan dan anomali dalam pelbagai komponen.

◆Aplikasi OBIRCH (ujian perubahan nilai impedans akibat sinar laser): OBIRCH sering digunakan untuk analisis impedans tinggi dan rendah impedans di dalam ICcip, dan analisis laluan kebocoran talian.Menggunakan kaedah OBIRCH, kecacatan dalam litar boleh dikesan dengan berkesan, seperti lubang dalam talian, lubang di bawah lubang dan kawasan rintangan tinggi di bahagian bawah lubang melalui.Tambahan seterusnya.

◆ Pengesanan titik panas skrin LCD: Gunakan skrin LCD untuk mengesan susunan molekul dan penyusunan semula pada titik kebocoran IC, dan paparkan imej berbentuk tompok yang berbeza daripada kawasan lain di bawah mikroskop untuk mencari titik kebocoran (titik kesalahan lebih besar daripada 10mA) yang akan menyusahkan pereka dalam analisis sebenar.Pengisaran cip titik tetap/tidak tetap: keluarkan bonggol emas yang ditanam pada Pad cip pemacu LCD, supaya Pad tidak rosak sepenuhnya, yang sesuai untuk analisis dan ikatan semula berikutnya.

◆Ujian tidak merosakkan X-Ray: Mengesan pelbagai kecacatan dalam ICpembungkusan cip, seperti mengelupas, pecah, lompang, integriti pendawaian, PCB mungkin mempunyai beberapa kecacatan dalam proses pembuatan, seperti penjajaran atau penyambungan yang lemah, litar terbuka, litar pintas atau kelainan Kecacatan pada sambungan, integriti bola pateri dalam bungkusan.

◆SAM (SAT) pengesanan kecacatan ultrasonik boleh mengesan struktur di dalam secara tidak merosakkanICpakej cip, dan berkesan mengesan pelbagai kerosakan yang disebabkan oleh kelembapan dan tenaga haba, seperti penembusan permukaan wafer O, bola pateri O, wafer atau pengisi Terdapat jurang dalam bahan pembungkus, liang di dalam bahan pembungkus, pelbagai lubang seperti permukaan ikatan wafer , bola pateri, pengisi, dsb.