IPD135N08N3G Litar Bersepadu Jenama Baru
Atribut Produk
| JENIS | PENERANGAN |
| kategori | Produk Semikonduktor Diskret |
| Mfr | Teknologi Infineon |
| Siri | OptiMOS™ |
| Pakej | Pita & Kekili (TR) |
| Status Produk | usang |
| Jenis FET | Saluran-N |
| Teknologi | MOSFET (Metal Oksida) |
| Longkang ke Voltan Sumber (Vdss) | 80 V |
| Arus – Longkang Berterusan (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
| Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup) | 6V, 10V |
| Rds On (Maks) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 45A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 3.5V @ 33μA |
| Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Vgs (Maks) | ±20V |
| Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 1730 pF @ 40 V |
| Ciri FET | - |
| Pelesapan Kuasa (Maks) | 79W (Tc) |
| Suhu Operasi | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Jenis Pemasangan | Lekapan Permukaan |
| Pakej Peranti Pembekal | PG-TO252-3 |
| Pakej / Kes | TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63 |
| Nombor Produk Asas | IPD135N |
Dokumen & Media
| JENIS SUMBER | PAUTAN |
| Helaian data | IPD135N08N3G |
| Dokumen Berkaitan Lain | Panduan Nombor Bahagian |
| Produk yang diketengahkan | Sistem Pemprosesan Data |
| Lembaran Data HTML | IPD135N08N3G |
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
| Atribut | PENERANGAN |
| Tahap Kepekaan Kelembapan (MSL) | 1 (Tidak terhad) |
| Status REACH | REACH Tidak terjejas |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Sumber tambahan
| Atribut | PENERANGAN |
| Nama lain | SP000454266 IPD135N08N3GBTMA1TR IPD135N08N3 G IPD135N08N3 G-ND |
| Pakej Standard | 2,500 |
Transistor ialah peranti semikonduktor yang biasa digunakan dalam penguat atau suis dikawal secara elektronik.Transistor ialah blok binaan asas yang mengawal operasi komputer, telefon bimbit, dan semua litar elektronik moden yang lain.
Disebabkan oleh kelajuan tindak balas yang pantas dan ketepatan yang tinggi, transistor boleh digunakan untuk pelbagai jenis fungsi digital dan analog, termasuk penguatan, pensuisan, pengatur voltan, modulasi isyarat dan pengayun.Transistor boleh dibungkus secara individu atau dalam kawasan yang sangat kecil yang boleh memuatkan 100 juta atau lebih transistor sebagai sebahagian daripada litar bersepadu.
Berbanding dengan tiub elektron, transistor mempunyai banyak kelebihan:
Komponen tidak mempunyai penggunaan
Tidak kira seberapa baik tiub itu, ia akan beransur-ansur merosot akibat perubahan dalam atom katod dan kebocoran udara kronik.Atas sebab teknikal, transistor mempunyai masalah yang sama apabila ia mula-mula dibuat.Dengan kemajuan dalam bahan dan penambahbaikan dalam banyak aspek, transistor biasanya bertahan 100 hingga 1,000 kali lebih lama daripada tiub elektronik.
Menggunakan kuasa yang sangat sedikit
Ia hanya satu persepuluh atau puluhan daripada satu tiub elektron.Ia tidak perlu memanaskan filamen untuk menghasilkan elektron bebas seperti tiub elektron.Radio transistor hanya memerlukan beberapa bateri kering untuk mendengar selama enam bulan setahun, yang sukar dilakukan untuk radio tiub.
Tidak perlu dipanaskan terlebih dahulu
Bekerja sebaik sahaja anda menghidupkannya.Sebagai contoh, radio transistor dimatikan sebaik sahaja ia dihidupkan, dan televisyen transistor menyediakan gambar sebaik sahaja ia dihidupkan.Peralatan tiub vakum tidak boleh melakukannya.Selepas boot, tunggu sebentar untuk mendengar bunyi, lihat gambar.Jelas sekali, dalam ketenteraan, pengukuran, rakaman, dll., transistor sangat berfaedah.
Kuat dan boleh dipercayai
100 kali lebih dipercayai daripada tiub elektron, rintangan kejutan, rintangan getaran, yang tidak dapat dibandingkan dengan tiub elektron.Di samping itu, saiz transistor hanya satu persepuluh hingga satu perseratus saiz tiub elektron, pelepasan haba yang sangat sedikit, boleh digunakan untuk mereka bentuk litar kecil, kompleks, boleh dipercayai.Walaupun proses pembuatan transistor adalah tepat, prosesnya adalah mudah, yang kondusif untuk meningkatkan ketumpatan pemasangan komponen.
